ترانزیستور MOSFET مدل SIR662DP-T1-GE3

توضیحات

ترانزیستور SIR662DP-T1-GE3 یکی از MOSFETهای توان بالای شرکت Vishay Siliconix است که برای سیستم‌های تغذیه و کاربردهای الکترونیکی صنعتی استفاده می‌شود.
این قطعه با فناوری پیشرفته TrenchFET® ساخته شده که عملکرد بسیار بالا و تلفات انرژی پایین را تضمین می‌کند.
ویژگی‌های کلیدی آن شامل ولتاژ Drain-Source تا 30 ولت و جریان پیوسته تا 62 آمپر است.
به دلیل مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (حدود 5.3 میلی‌اهم)، این قطعه گزینه‌ای عالی برای طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، مدارهای درایور موتور، و ماژول‌های توان در تجهیزات مخابراتی است.
بدنه‌ی این MOSFET از نوع PowerPAK SO-8 است که دفع حرارتی مناسبی دارد و برای مونتاژ سطحی (SMD) بسیار مناسب است.

این مدل با تحمل حرارتی عالی و سرعت سوئیچینگ بالا، کارایی چشمگیری در کاربردهایی دارد که نیاز به کنترل دقیق توان، کاهش افت ولتاژ و افزایش بازده دارند.
از آن در تجهیزات الکترونیک قدرت، درایورهای LED، باتری‌شارژرها و مدارهای توزیع توان استفاده می‌شود.

⚙️ ویژگی‌ها

• نوع: N-Channel MOSFET

• فناوری ساخت: TrenchFET®

• ولتاژ Drain-Source (Vds): 30V

• جریان Drain (Id): 62A

• مقاومت Rds(on): حدود 5.3 mΩ @ Vgs = 10V

• توان تلفاتی (Pd): 63W

• بسته‌بندی: PowerPAK SO-8

• دمای کاری: ‎-55°C تا +150°C

• نوع نصب: SMD (سطحی)

🌟 مزایا

• مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (افزایش بازده مدار)

• سوئیچینگ سریع و قابل اطمینان

• طراحی مناسب برای توان بالا

• ابعاد کوچک و دفع حرارتی عالی

• مناسب برای طراحی‌های صنعتی و خودرویی

⚙️ کاربردها

• مبدل‌های DC-DC

• سیستم‌های تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• درایور موتورهای DC و Stepper

• مدارهای کنترل توان و LED

• تجهیزات صنعتی و مخابراتی

🏭 برند سازنده

Vishay Siliconix