توضیحات

IRF7807 یک ترانزیستور MOSFET دوبل N-Channel با عملکرد بالا است که در پکیج SO-8 عرضه می‌شود. این قطعه دارای ویژگی‌های زیر است:

مقاومت در حالت روشن بسیار پایین (Rds(on)): حدود 0.009 اهم
توانایی عبور جریان پیوسته تا 7.5 آمپر
ولتاژ کاری Drain-Source: تا 30 ولت
ولتاژ گیت-سورس: تا ±20 ولت
سرعت سوئیچینگ بالا و Gate Charge پایین برای سوئیچینگ سریع

وجود دو MOSFET داخلی در یک پکیج، این قطعه را برای استفاده در پیکربندی‌های مختلف مانند Half-Bridge یا مدارهای یکسوساز سینکرون مناسب می‌سازد. این ویژگی‌ها آن را برای طراحی منابع تغذیه کارآمد، درایورهای موتور، و سیستم‌های مدیریت توان ایده‌آل می‌کند.

از آنجایی که این MOSFET‌ها دارای Gate Charge پایین هستند، به راحتی می‌توان آن‌ها را با مدارهای منطقی TTL یا CMOS راه‌اندازی کرد.

ویژگی‌ها IRF7807 :

نوع: MOSFET دوبل N-Channel
پکیج: SO-8
ولتاژ کاری Drain-Source: 30V
جریان پیوسته Drain: 7.5A
مقاومت در حالت روشن: 0.009 اهم
ولتاژ گیت-سورس: ±20V
توان اتلاف: 2.5 وات
دمای کاری: بین -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد

دارای دو MOSFET داخلی N-Channel
مقاومت Rds(on) بسیار پایین
مناسب برای سوئیچینگ سریع
طراحی شده برای راه‌اندازی با سیگنال‌های منطقی
ابعاد کوچک مناسب برای بردهای فشرده